[[קובץ: טרנזיסטורים נתונים.png|200px|שמאל|ממוזער|איור 5]]
כאשר מגדילים את מתח ה-gate מעל למתח הסף בו מתחילה להיווצר שכבת אינוורסיה, נקבל כי הזרם עולה לינארית בקירוב כפונקציה של מתח source-drain. גודל הזרם תלוי גם בגודלה של שכבת האינוורסיה, כלומר כדי לקבל זרם גדול יותר באותו מתח source-drain , יש להגדיל את שכבת האינורסיה על ידי הגדלת מתח ה-gate.
התהליך מגיע לרוויה כאשר האלקטרונים מגיעים למהירותם המקסימאלית, כך שהגדלת מתח source-drain משאירה את הזרם ללא שינוי.
ישנם טרנזיסטורים ששכבת האינוורסיה קיימת עוד בתהליך ייצור ההתקן. בטרנזיסטורים אלו יהיה זרם גם כאשר מתח ה-gate יהיה 0. למשל בטרנזיסטור PNP כמו שמוצג באיור 4 שכבת האינוורסיה תהיה של נושאי מטען חיוביים גם ללא מתח gate, אם נפעיל מתח ה-gate שלילי יגדל גם הזרם המתקבל. אולם אם נפעיל מתח gate חיובי שכבת האינוורסיה תדחה ואיזור המיחסור שבשני הצמתים יגדל. ככל שמתח ה-gate יגדל כך תהרס יותר שכבת האינוורסיה, עד למצב בו לא יהיה זרם כלל.
==מערכת הניסוי==